UltraRam

Η ULTRARAM είναι ένας νέος τύπος «UNIVERSAL μνήμης» που μπορεί να ξεπεράσει σε μακροζωία την τωρινή τεχνολογία των SSD(SOLID STATE DRIVE). Οι ταχύτητες  ανάγνωσης και εγγραφής μπορεί να είναι οι ίδιες και σε κάποιες περιπτώσεις καλύτερες, το οποίο όμως θα γίνεται εφικτό με χαμηλότερη κατανάλωση ισχύος. Αυτή η νέα τεχνολογία θα μπορούσε να είναι το ιερό δισκοπότηρο στις μνήμες. Με αυτή την καινοτόμο τεχνολογία της ULTRARAM ο υπολογιστής σας θα μπορούσε να είναι σε κατάσταση αναστολής για 1000 χρόνια και να επαναενεργοποιηθεί άμεσα χωρίς πρόβλημα.

Η ULTRARAM™ είναι μη μεταβλητή σαν την flash μνήμη, με απόδοση όμως που αναμένεται να ξεπεράσει αυτή της DRAM.

Τεχνικές Λεπτομέρειες

Η τεχνολογία της ULTRARAM™ είναι κατηγορίας floating gate που μοιάζει με flash. Ωστόσο, σε αντίθεση με τη flash, ή οποία χρησιμοποιεί ένα φράγμα οξειδίου υψηλής αντίστασης για να διατηρήσει το φορτίο στην floating gate, η ULTRARAM™ χρησιμοποιεί ατομικά λεπτά στρώματα InAs/AlSb για να δημιουργήσει μια δομή περιορισμού φορτίου συντονισμού σήραγγας τριπλού φραγμού (TBRT). Το TBRT αλλάζει μεταξύ μιας κατάστασης υψηλής αντίστασης σε μια κατάσταση υψηλής αγωγιμότητας (ξεκλείδωμα) με εφαρμογή μόλις 2,5 V σε όλη τη στοίβα πύλης (πρόγραμμα/διαγραφή). Αυτός ο μηχανισμός είναι που δίνει στην ULTRARAM™ τις αξιοσημείωτες ιδιότητές της.

Ενεργειακή Απόδοση

Οι παράγοντες που καθορίζουν την ενεργειακή απόδοση ποικίλλουν ευρέως για διαφορετικές τεχνολογίες μνήμης. Για παράδειγμα, πολλές αναδυόμενες μνήμες λειτουργούν δημιουργώντας/σπάζοντας διατομικούς δεσμούς ή με εναλλαγή ατομικών μαγνητικών ροπών. Αυτές οι διαδικασίες είναι ενεργοβόρες, με αποτέλεσμα υψηλές ενέργειες προγράμματος/διαγραφής. Οι μνήμες που βασίζονται στο φορτίο, όπως το flash και DRAM, είναι ανώτερες από αυτή την άποψη, καθώς χειρίζονται ηλεκτρόνια και όχι άτομα, κάτι που απαιτεί λιγότερη ενέργεια. Ωστόσο, υπάρχει ακόμα περιθώριο για ακόμη μεγαλύτερη αποτελεσματικότητα!

Λειτουργική Απόδοση

Με το συνδυασμό χαμηλής χωρητικότητας και προγράμματος/διαγραφής χαμηλής τάσης, η ULTRARAM™ έχει ενέργεια μεταγωγής ανά μονάδα επιφάνειας που είναι 100 φορές χαμηλότερη από τη DRAM, 1.000 φορές χαμηλότερη από την flash μνήμη και πάνω από 10.000 φορές χαμηλότερη από άλλες αναδυόμενες μνήμες. Τα διαπιστευτήρια εξαιρετικά χαμηλής ενέργειας της ULTRARAM™ ενισχύονται περαιτέρω από τη μη καταστροφική ανάγνωση και τη μη μεταβλητότητά της, γεγονός που αφαιρεί την ανάγκη για ανανέωση.

Μια μνήμη είναι μη πτητική εάν είναι σε θέση να διατηρεί δεδομένα όταν δεν τροφοδοτείται, απαιτώντας μια ισχυρή λογική κατάσταση που είναι δύσκολο να αλλάξει, π.χ. λάμψη. Αντίθετα, μια γρήγορη μνήμη απαιτεί φαινομενικά η λογική κατάσταση να είναι εύθραυστη ώστε να μπορεί να αλλάξει γρήγορα και εύκολα, π.χ. DRAM. Επομένως, μια μνήμη που είναι γρήγορη και μη πτητική απαιτεί φαινομενικά αντιφατικές φυσικές ιδιότητες και έχει από καιρό απορριφθεί ως ανέφικτη.